美光的 16nm 製程技術可在單一晶粒上提供 16GB 的儲存，是迄今為止開發出最高容量的平面 NAND 快閃記憶體。使用此製程，一片 300mm 的晶圓上即可創造出將近 6TB 的儲存。（i）接收方透過有效證據證明，在揭露時接收方已合法擁有且無須承擔保密義務的資訊；（ii）�